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NTTFS5116PL
TYPICAL CHARACTERISTICS
1800
1600
1400
1200
1000
800
600
C iss
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
10
8
6
4
Q gs
Q gd
Q T
400
200
0
0
C rss
C oss
10 20 30 40 50
60
2
0
0
V DS = ? 48 V
I D = ? 5 A
T J = 25 ° C
5 10 15 20
25
1000
V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 7. Capacitance Variation
40
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
Figure 8. Gate ? to ? Source and
Drain ? to ? Source Voltage vs. Total Charge
100
V DD = ? 48 V
I D = ? 5 A
V GS = ? 4.5 V
t r
t f
30
20
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
t d(off)
10
t d(on)
10
1
1
10
100
0
0.5
0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
1.1
100
R G , GATE RESISTANCE ( W )
Figure 9. Resistive Switching Time Variation
vs. Gate Resistance
45
? V SD , SOURCE ? TO ? DRAIN VOLTAGE (V)
Figure 10. Diode Forward Voltage vs. Current
10
1
V GS = ? 10 V
Single Pulse
T C = 25 ° C
R DS(on) Limit
Thermal Limit
1 ms
10 ms
dc
100 m s
10 m s
30
15
0.1
Package Limit
0.1
1
10
100
0
25
50
75
100
125
150
175
? V DS , DRAIN ? TO ? SOURCE VOLTAGE (V)
Figure 11. Maximum Rated Forward Biased
Safe Operating Area
http://onsemi.com
4
T J , STARTING JUNCTION TEMPERATURE ( ° C)
Figure 12. Maximum Avalanche Energy vs.
Starting Junction Temperature
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NTTFS5811NL 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:Power MOSFET 40 V, 53 A, 6.4 mΩ
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